biểu ngữ trang (1)
biểu ngữ trang (2)
biểu ngữ trang (3)
biểu ngữ trang (4)
biểu ngữ trang (5)
  • Dorp-In Terminations RF Microwave
  • Dorp-In Terminations RF Microwave
  • Dorp-In Terminations RF Microwave
  • Dorp-In Terminations RF Microwave
  • Dorp-In Terminations RF Microwave

    Đặc trưng:

    • Tần số cao
    • Độ tin cậy và ổn định cao

    Ứng dụng:

    • Không dây
    • Thiết bị đo lường
    • Radar

    Drop-In Termination (còn được gọi là điện trở kết thúc gắn bề mặt) là một linh kiện rời rạc công nghệ gắn bề mặt (SMT) được thiết kế đặc biệt cho mạch kỹ thuật số tốc độ cao và mạch tần số vô tuyến (RF). Nhiệm vụ cốt lõi của nó là ngăn chặn phản xạ tín hiệu và đảm bảo tính toàn vẹn tín hiệu (SI). Thay vì được kết nối qua dây, nó được "nhúng" trực tiếp hoặc "thả" vào các vị trí cụ thể trên đường truyền PCB (chẳng hạn như đường truyền vi mạch), hoạt động như một điện trở kết thúc song song. Đây là một linh kiện quan trọng trong việc giải quyết các vấn đề về chất lượng tín hiệu tốc độ cao và được sử dụng rộng rãi trong nhiều sản phẩm nhúng, từ máy chủ máy tính đến cơ sở hạ tầng truyền thông.

    Đặc trưng:

    1. Hiệu suất tần số cao đặc biệt và khả năng kết hợp trở kháng chính xác
    Độ tự cảm ký sinh cực thấp (ESL): Sử dụng các cấu trúc thẳng đứng cải tiến và công nghệ vật liệu tiên tiến (như công nghệ màng mỏng), độ tự cảm ký sinh được giảm thiểu (thường là giá trị điện trở chính xác: Cung cấp giá trị điện trở có độ chính xác cao và ổn định), đảm bảo trở kháng đầu cuối khớp chính xác với trở kháng đặc trưng của đường truyền (ví dụ: 50Ω, 75Ω, 100Ω), tối đa hóa khả năng hấp thụ năng lượng tín hiệu và ngăn ngừa phản xạ.
    Đáp ứng tần số tuyệt vời: Duy trì đặc tính điện trở ổn định trên một dải tần số rộng, vượt trội hơn hẳn các điện trở dẫn hướng trục hoặc hướng kính truyền thống.
    2. Thiết kế cấu trúc ra đời để tích hợp PCB
    Cấu trúc dọc độc đáo: Dòng điện chạy vuông góc với bề mặt bảng mạch in. Hai điện cực được đặt trên bề mặt trên và dưới của linh kiện, kết nối trực tiếp với lớp kim loại và lớp đất của đường truyền, tạo thành đường dẫn dòng điện ngắn nhất và giảm đáng kể độ tự cảm vòng lặp do dây dẫn dài của điện trở truyền thống gây ra.
    Công nghệ gắn bề mặt tiêu chuẩn (SMT): Tương thích với quy trình lắp ráp tự động, phù hợp với sản xuất quy mô lớn, cải thiện hiệu quả và tính nhất quán.
    Nhỏ gọn và tiết kiệm không gian: Kích thước gói nhỏ (ví dụ: 0402, 0603, 0805) giúp tiết kiệm không gian PCB đáng kể, lý tưởng cho các thiết kế bo mạch có mật độ cao.
    3. Khả năng xử lý công suất cao và độ tin cậy
    Tản nhiệt hiệu quả: Mặc dù kích thước nhỏ, thiết kế này vẫn đảm bảo tản nhiệt, cho phép xử lý nhiệt sinh ra trong quá trình kết thúc tín hiệu tốc độ cao. Có nhiều mức công suất khác nhau (ví dụ: 1/16W, 1/10W, 1/8W, 1/4W).
    Độ tin cậy và ổn định cao: Sử dụng hệ thống vật liệu ổn định và cấu trúc chắc chắn, mang lại độ bền cơ học tuyệt vời, khả năng chống sốc nhiệt và độ tin cậy lâu dài, phù hợp với các ứng dụng công nghiệp đòi hỏi khắt khe.

    Ứng dụng:

    1. Chấm dứt cho xe buýt kỹ thuật số tốc độ cao
    Trong các bus song song tốc độ cao (ví dụ: DDR4, DDR5 SDRAM) và các bus vi sai, nơi tốc độ truyền tín hiệu cực cao, điện trở Drop-In Termination được đặt ở cuối đường truyền (end termination) hoặc tại nguồn (source termination). Điều này cung cấp một đường dẫn trở kháng thấp đến nguồn điện hoặc đất, hấp thụ năng lượng tín hiệu khi đến, do đó loại bỏ phản xạ, lọc sóng tín hiệu và đảm bảo truyền dữ liệu ổn định. Đây là ứng dụng cổ điển và phổ biến nhất của nó trong thiết kế mô-đun bộ nhớ (DIMM) và bo mạch chủ.
    2. Mạch RF và vi sóng
    Trong thiết bị truyền thông không dây, hệ thống radar, thiết bị đo kiểm và các hệ thống RF khác, Drop-In Termination được sử dụng làm tải phối hợp ở đầu ra của bộ chia công suất, bộ ghép nối và bộ khuếch đại. Nó cung cấp trở kháng chuẩn 50Ω, hấp thụ công suất RF dư thừa, cải thiện khả năng cách ly kênh, giảm sai số đo lường và ngăn ngừa phản xạ năng lượng để bảo vệ các thành phần RF nhạy cảm và đảm bảo hiệu suất hệ thống.
    3. Giao diện nối tiếp tốc độ cao
    Trong những trường hợp mà hệ thống dây cấp bo mạch dài hoặc cấu trúc phức tạp, chẳng hạn như PCIe, SATA, SAS, USB 3.0+ và các liên kết nối tiếp tốc độ cao khác có yêu cầu chất lượng tín hiệu nghiêm ngặt, thì Đầu nối Drop-In bên ngoài chất lượng cao sẽ được sử dụng để tối ưu hóa khả năng khớp nối.
    4. Thiết bị mạng và truyền thông
    Trong bộ định tuyến, bộ chuyển mạch, mô-đun quang và các thiết bị khác, nơi các đường tín hiệu tốc độ cao trên các mặt phẳng sau (ví dụ: 25G+) yêu cầu kiểm soát trở kháng nghiêm ngặt, thì Drop-In Termination được sử dụng gần các đầu nối mặt phẳng sau hoặc ở cuối các đường truyền dài để tối ưu hóa tính toàn vẹn của tín hiệu và giảm tỷ lệ lỗi bit (BER).

    QualwaveĐầu nối Dorp-In cung cấp dải tần DC~3GHz. Công suất xử lý trung bình lên đến 100 watt.

    hình ảnh_08
    hình ảnh_08

    Mã số sản phẩm

    Tính thường xuyên

    (GHz, Tối thiểu)

    tiểu vũĐặng Ngọc

    Tính thường xuyên

    (GHz, Tối đa)

    ngày vũĐặng Ngọc

    Quyền lực

    (Nữ)

    tiểu vũĐặng Ngọc

    VSWR

    (Tối đa)

    tiểu vũĐặng Ngọc

    Mặt bích

    Kích cỡ

    (mm)

    Thời gian dẫn

    (tuần)

    QDT03K1 DC 3 100 1.2 Mặt bích đôi 20*6 0~4

    SẢN PHẨM ĐƯỢC KHUYẾN NGHỊ

    • Bộ cách ly đồng trục lạnh RF băng thông rộng

      Bộ cách ly đồng trục lạnh RF băng thông rộng

    • Bộ suy giảm PIM thấp Sóng vi ba RF Sóng milimet mm

      Bộ suy giảm PIM thấp Sóng vi ba RF milimet...

    • Bộ cách ly ống dẫn sóng Băng thông rộng Octave RF Vi sóng Sóng milimet

      Bộ cách ly ống dẫn sóng băng thông rộng Octave RF Microwa...

    • Đầu nối gắn bảng mạch in Đầu nối PCB RF SMA SMP 2,92mm

      Đầu nối gắn bảng mạch in PCB Conn...

    • Máy tuần hoàn vi dải băng thông rộng Octave RF Vi sóng milimet Sóng

      Máy tuần hoàn vi dải băng thông rộng Octave RF Micro...

    • Bộ dịch pha điều khiển bằng điện áp RF Vi sóng milimet Sóng biến thiên

      Bộ dịch pha điều khiển bằng điện áp RF Vi sóng ...